A2G35S200-01SR3

Nombor Bahagian Pengilang:	A2G35S200-01SR3
Pengeluar:	NXP Semiconductors
Sebahagian daripada Penerangan:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Helaian data:	A2G35S200-01SR3 Helaian data
Status Bebas Plumbum / Status RoHS:	Bebas Plumbum / Mematuhi RoHS
Keadaan Stok:	Dalam stok
Hantar Dari:	Hong Kong
Cara Penghantaran:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

CATATAN: NXP Semiconductors A2G35S200-01SR3 tersedia di chipnets.com. Kami hanya menjual Bahagian Baru&Asal dan menawarkan masa jaminan 1 tahun. Jika anda ingin mengetahui lebih lanjut tentang produk atau menggunakan harga yang lebih baik, sila hubungi kami klik Sembang Dalam Talian atau hantar sebut harga kepada kami.

Semua Komponen Eelctronics akan dibungkus dengan sangat selamat dengan perlindungan antistatik ESD.

package

Spesifikasi

taip	Penerangan
Seri	-
Pakej	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status Bahagian	Active
Jenis Transistor	GaN HEMT
Kekerapan	3.4GHz ~ 3.6GHz
Keuntungan	16.1dB
Voltan - Ujian	48 V
Penarafan Semasa (Amps)	-
Gambar Kebisingan	-
Semasa - Ujian	291 mA
Kuasa - Keluaran	180W
Voltan - Dinilai	125 V
Pakej / Kes	NI-400S-2S
Pakej Peranti Pembekal	NI-400S-2S

MEMBELI PILIHAN

Status Stok: 182

Minimum: 1

Kuantiti	Harga seunit	Ext. harga
Harga tidak tersedia, sila RFQ

Pengiraan pengangkutan

US $40 oleh FedEx.

Tiba dalam 3-5 hari

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Penghantaran percuma pada 0.5kg pertama untuk pesanan melebihi $150,Berat berlebihan akan dicaj secara berasingan

Model Popular

	A2G35S160-01SR3 NXP Semiconductors
	A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors

Item ini telah ditambahkan pada troli anda.