TK7J90E,S1E

Nombor Bahagian Pengilang:	TK7J90E,S1E
Pengeluar:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Sebahagian daripada Penerangan:	MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Helaian data:	TK7J90E,S1E Helaian data
Status Bebas Plumbum / Status RoHS:	Bebas Plumbum / Mematuhi RoHS
Keadaan Stok:	Dalam stok
Hantar Dari:	Hong Kong
Cara Penghantaran:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

CATATAN: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK7J90E,S1E tersedia di chipnets.com. Kami hanya menjual Bahagian Baru&Asal dan menawarkan masa jaminan 1 tahun. Jika anda ingin mengetahui lebih lanjut tentang produk atau menggunakan harga yang lebih baik, sila hubungi kami klik Sembang Dalam Talian atau hantar sebut harga kepada kami.

Semua Komponen Eelctronics akan dibungkus dengan sangat selamat dengan perlindungan antistatik ESD.

package

Spesifikasi

taip	Penerangan
Seri	π-MOSVIII
Pakej	Tube
Status Bahagian	Active
Jenis FET	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Saliran ke Voltan Sumber (Vdss)	900 V
Semasa - Saliran Berterusan (Id) @ 25 ° C	7A (Ta)
Voltan Pandu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)	10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Maks) @ Id	4V @ 700µA
Bayaran Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Maks)	±30V
Kapasiti Input (Ciss) (Maks) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Ciri FET	-
Kekurangan Kuasa (Maks)	200W (Tc)
Suhu Operasi	150°C (TJ)
Jenis Pemasangan	Through Hole
Pakej Peranti Pembekal	TO-3P(N)
Pakej / Kes	TO-3P-3, SC-65-3

MEMBELI PILIHAN

Status Stok: 12

Minimum: 1

Kuantiti	Harga seunit	Ext. harga
Harga tidak tersedia, sila RFQ

Pengiraan pengangkutan

US $40 oleh FedEx.

Tiba dalam 3-5 hari

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Penghantaran percuma pada 0.5kg pertama untuk pesanan melebihi $150,Berat berlebihan akan dicaj secara berasingan

Model Popular

	TK7J90E,S1E Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Item ini telah ditambahkan pada troli anda.