SIHD12N50E-GE3

Nombor Bahagian Pengilang:	SIHD12N50E-GE3
Pengeluar:	Vishay / Siliconix
Sebahagian daripada Penerangan:	MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Helaian data:	SIHD12N50E-GE3 Helaian data
Status Bebas Plumbum / Status RoHS:	Bebas Plumbum / Mematuhi RoHS
Keadaan Stok:	Dalam stok
Hantar Dari:	Hong Kong
Cara Penghantaran:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

CATATAN: Vishay / Siliconix SIHD12N50E-GE3 tersedia di chipnets.com. Kami hanya menjual Bahagian Baru&Asal dan menawarkan masa jaminan 1 tahun. Jika anda ingin mengetahui lebih lanjut tentang produk atau menggunakan harga yang lebih baik, sila hubungi kami klik Sembang Dalam Talian atau hantar sebut harga kepada kami.

Semua Komponen Eelctronics akan dibungkus dengan sangat selamat dengan perlindungan antistatik ESD.

package

Spesifikasi

taip	Penerangan
Seri	E
Pakej	Tube
Status Bahagian	Active
Jenis FET	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Saliran ke Voltan Sumber (Vdss)	550 V
Semasa - Saliran Berterusan (Id) @ 25 ° C	10.5A (Tc)
Voltan Pandu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)	10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs	380mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Maks) @ Id	4V @ 250µA
Bayaran Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Maks)	±30V
Kapasiti Input (Ciss) (Maks) @ Vds	886 pF @ 100 V
Ciri FET	-
Kekurangan Kuasa (Maks)	114W (Tc)
Suhu Operasi	-55°C ~ 150°C (TA)
Jenis Pemasangan	Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal	D-PAK (TO-252AA)
Pakej / Kes	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MEMBELI PILIHAN

Status Stok: 2153

Minimum: 1

Kuantiti	Harga seunit	Ext. harga
Harga tidak tersedia, sila RFQ

Pengiraan pengangkutan

US $40 oleh FedEx.

Tiba dalam 3-5 hari

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Penghantaran percuma pada 0.5kg pertama untuk pesanan melebihi $150,Berat berlebihan akan dicaj secara berasingan

Model Popular

Item ini telah ditambahkan pada troli anda.