RQ3E120BNTB

Nombor Bahagian Pengilang:	RQ3E120BNTB
Pengeluar:	ROHM Semiconductor
Sebahagian daripada Penerangan:	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Helaian data:	RQ3E120BNTB Helaian data
Status Bebas Plumbum / Status RoHS:	Bebas Plumbum / Mematuhi RoHS
Keadaan Stok:	Dalam stok
Hantar Dari:	Hong Kong
Cara Penghantaran:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

CATATAN: ROHM Semiconductor RQ3E120BNTB tersedia di chipnets.com. Kami hanya menjual Bahagian Baru&Asal dan menawarkan masa jaminan 1 tahun. Jika anda ingin mengetahui lebih lanjut tentang produk atau menggunakan harga yang lebih baik, sila hubungi kami klik Sembang Dalam Talian atau hantar sebut harga kepada kami.

Semua Komponen Eelctronics akan dibungkus dengan sangat selamat dengan perlindungan antistatik ESD.

package

Spesifikasi

taip	Penerangan
Seri	-
Pakej	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Status Bahagian	Active
Jenis FET	N-Channel
Teknologi	MOSFET (Metal Oxide)
Saliran ke Voltan Sumber (Vdss)	30 V
Semasa - Saliran Berterusan (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Voltan Pandu (Maksimum Rds Hidup, Min Rds Hidup)	4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Maks) @ Id	2.5V @ 1mA
Bayaran Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Maks)	±20V
Kapasiti Input (Ciss) (Maks) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Ciri FET	-
Kekurangan Kuasa (Maks)	2W (Ta)
Suhu Operasi	150°C (TJ)
Jenis Pemasangan	Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal	8-HSMT (3.2x3)
Pakej / Kes	8-PowerVDFN

MEMBELI PILIHAN

Status Stok: 70

Minimum: 1

Kuantiti	Harga seunit	Ext. harga
Harga tidak tersedia, sila RFQ

Pengiraan pengangkutan

US $40 oleh FedEx.

Tiba dalam 3-5 hari

Ekspres:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Penghantaran percuma pada 0.5kg pertama untuk pesanan melebihi $150,Berat berlebihan akan dicaj secara berasingan

Model Popular

Item ini telah ditambahkan pada troli anda.